NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

Tsanangudzo Pfupi

Vagadziri: ON Semiconductor

Product Category: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Data Sheet:NTJD5121NT1G

Tsanangudzo: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

RoHS chimiro: RoHS Inoenderana


Product Detail

Features

Applications

Product Tags

♠ Tsanangudzo yeChigadzirwa

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Categoria de producto: MOSFET
RoHS: Detales
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SC-88-6
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id - Corriente de drenaje continua: 295 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 1.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 900 pc
Temperatura de trabajo minima: -55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 250 mW
Modo canal: Kuwedzera
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cheka Tape
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 32 ns
Altura: 0.9 mm
Longitud: 2 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 34 ns
Serie: NTJD5121N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: MOSFETs
Tsanangudzo ye transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Ancho: 1.25 mm
Peso de la unidad: 0.000212 oz

  • Zvakapfuura:
  • Zvinotevera:

  • • Yakaderera RDS(pa)

    • Low Gate Threshold

    • Low Input Capacitance

    • ESD Yakachengetedzwa Gedhi

    • NVJD Prefix for Automotive and Other Applications Inoda Unique Site uye Control Shanduko Zvinodiwa;AEC-Q101 Inokodzera uye PPAP Inokwanisa

    • Iyi iPb−Mahara Mudziyo

    •Low Side Load Switch

    • DC−DC Converters (Buck and Boost Circuits)

    Related Products