FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

Tsanangudzo Pfupi

Vagadziri: ON Semiconductor

Product Category: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Data Sheet:FDN360P

Tsanangudzo: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

RoHS chimiro: RoHS Inoenderana


Product Detail

Features

Product Tags

♠ Tsanangudzo yeChigadzirwa

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Categoria de producto: MOSFET
RoHS: Detales
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SSOT-3
Polaridad del transistor: P-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id - Corriente de drenaje continua: 2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 63 mmhm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Qg - Carga de puerta: 9 nC
Temperatura de trabajo minima: -55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 500 mW
Modo canal: Kuwedzera
Nombre comercial: PowerTrench
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cheka Tape
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 5 S
Altura: 1.12 mm
Longitud: 2.9 mm
Producto: MOSFET Diki Chiratidzo
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 13 ns
Serie: FDN360P
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: MOSFETs
Tsanangudzo ye transistor: 1 P-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Ancho: 1.4 mm
Alias ​​de las piezas n.º: FDN360P_NL
Peso de la unidad: 0.001058 oz

♠ Imwe P-Channel, PowerTrenchÒ MOSFET

Iyi P-Channel Logic Level MOSFET inogadzirwa ichishandisa ON Semiconductor advanced Power Trench process iyo yakanyatso kurongeka kuti ideredze iyo-nyika kuramba uye ichichengetedza yakaderera gedhi kubhadharisa kwepamusoro switching kuita.

Midziyo iyi yakanyatsokodzera low voltage uye bhatiri powered application uko kuderera mu-line kurasikirwa kwesimba uye kukurumidza kushandura kunodiwa.


  • Zvakapfuura:
  • Zvinotevera:

  • · –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V

    · Yakaderera gedhi charge (6.2 nC yakajairika) · Yakakwira performance trench tekinoroji kune yakaderera zvakanyanya RDS(ON) .

    · Yakakwira simba vhezheni yeindasitiri Standard SOT-23 package.Yakafanana pini-kunze kune SOT-23 ine 30% yepamusoro simba rekubata simba.

    · Midziyo iyi haina Pb-Yemahara uye inoenderana neRoHS

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