FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Tsanangudzo yeChigadzirwa
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detales |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 mOhms |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de trabajo minima: | -55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modo canal: | Kuwedzera |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Cheka Tape |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Single |
| Tiempo de caída: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altura: | 1.12 mm |
| Longitud: | 2.9 mm |
| Producto: | MOSFET Diki Chiratidzo |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 10 ns |
| Serie: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tsanangudzo ye transistor: | 1 N-Channel |
| Tipo: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001270 oz |
♠ Transistor - N-Channel, Logic Level, Enhancement Mode Munda Mhedzisiro
SUPERSOT−3 N−Channel logic level enhancement mode power field effect transistors inogadzirwa pachishandiswa esemi's proprietary, high cell density, DMOS tekinoroji.Iyi yakanyanya density process inonyanya kurongeka kuti ideredze on-state resistance.Midziyo iyi inonyanya kukodzera kushandiswa kwemagetsi mashoma mumakomputa ekunyorera, nharembozha, makadhi ePCMCIA, uye mamwe maseketi ane bhatiri uko kukurumidza kushandura, uye kuderera kwemagetsi kurasikirwa kunodiwa mune diki diki repamusoro pesekete.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(pa) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(pa) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• Industry Standard Outline SOT−23 Surface Mount Package Kushandisa Proprietary SUPERSOT−3 Dhizaini yeSuperior Thermal uye Magetsi Kugona
• High Density Cell Design for Extremely Low RDS(pa)
• Yakasarudzika pa−Resistance uye Maximum DC Ikozvino Kugona
• Mudziyo uyu Pb−Mahara uye Halogen Yemahara
